中国政府友誼賞受賞者ヘンリー・ラダムソン氏が上海で死去、63歳

中国政府が外国人専門家に贈る最高栄誉「中国政府友誼賞」を受賞したスウェーデン出身の科学者、ヘンリー・ラダムソン氏が、2026年8月12日に上海で急逝しました。63歳でした。同氏は半導体やナノテクノロジー分野の第一人者として、中国の研究開発に大きく貢献。その突然の訃報は、日中をはじめ国際的な科学技術コミュニティに衝撃を与えています。

ヘンリー・ラダムソン氏の肖像

核心内容

経歴と専門分野：ラダムソン氏はスウェーデン出身で、ナノエレクトロニクス、ナノフォトニクス、熱電材料、赤外線センサーの研究で国際的に知られていました。特に半導体材料の成長技術に精通し、シリコンフォトニクスの発展に寄与しました。
中国での活動：2016年に中国科学院微電子研究所の研究員として北京に移住。その後、2019年に設立された広東省大湾区集積回路・システム応用研究院で首席科学者を務め、集積回路技術の国産化プロジェクトを牽引しました。
受賞歴：2023年度の中国政府友誼賞を受賞。これは中国の改革・発展に顕著な貢献をした外国人専門家に授与される名誉ある賞で、同年には26カ国から50名が受賞しました。
国際交流への情熱：ラダムソン氏は中国と欧州の科学技術協力の強化を強く訴え、「中国とスウェーデンを含む欧州諸国の交流がさらに深まることを望む」と語っていました。
業績と影響：同氏は台積電（TSMC）、サムスン半導体、STマイクロエレクトロニクス、ボッシュなど世界トップ企業の研究者と協力し、中国の半導体産業の高度化に貢献。特に、広東省での研究拠点設立に尽力しました。
人柄と家族：北京に家族と共に暮らし、「ストックホルムと北京に二つの家がある」と語るなど、中国に対する深い愛情を持っていました。その人柄は多くの同僚から慕われていました。

研究施設の様子

深層分析

ラダムソン氏の死去は、中国の半導体産業にとって大きな損失です。同氏は、中国が直面する半導体技術の「ボトルネック」解消に貢献できる数少ない外国人専門家でした。特に、同氏が率いた広東省大湾区の研究機関は、国家プロジェクト（02专项）と連携し、先端集積回路の研究開発を推進。その存在は、中国の技術的自立を目指す「自主可控」戦略の象徴でもありました。

また、同氏の死は、中国と欧州の科学技術協力の重要性を再認識させる出来事です。中国政府は外国人専門家の受け入れを積極的に推進しており、友誼賞はその象徴的な制度です。しかし、欧州との関係は地政学的な緊張により複雑化しており、同氏のような架け橋の存在が失われたことは、今後の協力に影を落とす可能性があります。

今後の展望として、中国は半導体分野での人材育成と国際協力をさらに強化する必要があります。ラダムソン氏が築いたネットワークと研究基盤は、後継者によって引き継がれるでしょうが、彼のリーダーシップを完全に代替することは難しいでしょう。彼の遺した功績は、中国の科学技術史に長く刻まれることになります。